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SQS484EN-T1_GE3

SQS484EN-T1_GE3

SQS484EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8

não conforme

SQS484EN-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.38280 -
6,000 $0.35640 -
15,000 $0.34320 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1855 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 62W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

SI1427EDH-T1-BE3
SFT1450-TL-H
SFT1450-TL-H
$0 $/pedaço
FDD2612
FDD2612
$0 $/pedaço
DMN63D8L-13
DMN63D8L-13
$0 $/pedaço
NTBLS4D0N15MC
NTBLS4D0N15MC
$0 $/pedaço
IPP80R1K2P7XKSA1
R6015ANX
R6015ANX
$0 $/pedaço
IXFK78N50P3
IXFK78N50P3
$0 $/pedaço
SIHP18N50C-E3
SIHP18N50C-E3
$0 $/pedaço
IPD127N06LGBTMA1

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