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PMV130ENEA/DG/B2R

PMV130ENEA/DG/B2R

PMV130ENEA/DG/B2R

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

compliant

PMV130ENEA/DG/B2R Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.1A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 120mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 3.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 170 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-236AB
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

STF38N65M5
STF38N65M5
$0 $/pedaço
IRF7469
IRF7469
$0 $/pedaço
IRFR3607PBF
SI7790DP-T1-GE3
IRFP344
IRFP344
$0 $/pedaço
IRFB23N20D
IXTQ80N28T
IXTQ80N28T
$0 $/pedaço
IRF640,127
IRF640,127
$0 $/pedaço

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