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IRF640,127

IRF640,127

IRF640,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB

compliant

IRF640,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1850 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SPD15N06S2L-64
PHP32N06LT,127
PHP32N06LT,127
$0 $/pedaço
STU8N65M5
STU8N65M5
$0 $/pedaço
BSS84AK/DG/B2215
BSS84AK/DG/B2215
$0 $/pedaço
SIR330DP-T1-GE3
IRF9620S
IRF9620S
$0 $/pedaço
FDS4465_SN00187
FDS4465_SN00187
$0 $/pedaço
IRLH6224TR2PBF
STFI11N65M2
STFI11N65M2
$0 $/pedaço
PHD45N03LTA,118
PHD45N03LTA,118
$0 $/pedaço

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