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APTC90H12T1G

APTC90H12T1G

APTC90H12T1G

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

não conforme

APTC90H12T1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 4 N-Channel (Half Bridge)
característica fet Super Junction
tensão de dreno para fonte (vdss) 900V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A
rds em (máx.) @ id, vgs 120mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 3mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 270nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6800pF @ 100V
potência - máx. 250W
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote / caixa SP1
pacote de dispositivo do fornecedor SP1
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Número da peça relacionada

ISL6605CRR5151
ISL6605CRR5151
$0 $/pedaço
IRF6802SDTR1PBF
IRF512S2532
IRF512S2532
$0 $/pedaço
OP524,005
OP524,005
$0 $/pedaço
2N7002DW-7-F-79
IRF730R4587
IRF730R4587
$0 $/pedaço
VQ2001P
VQ2001P
$0 $/pedaço

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