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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 1200V (1.2kV) |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 220A (Tc) |
rds em (máx.) @ id, vgs | 12mOhm @ 150A, 20V |
vgs(th) (máx.) @ id | 2.4V @ 30mA (Typ) |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 483nC @ 20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 8400pF @ 1000V |
potência - máx. | 925W |
temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Chassis Mount |
pacote / caixa | SP6 |
pacote de dispositivo do fornecedor | SP6-P |
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