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APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

não conforme

APTM120H57FT3G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 4 N-Channel (Half Bridge)
característica fet Standard
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200V (1.2kV)
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17A
rds em (máx.) @ id, vgs 684mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 2.5mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 187nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5155pF @ 25V
potência - máx. 390W
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote / caixa SP3
pacote de dispositivo do fornecedor SP3
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Número da peça relacionada

FDC6000NZ
FDC6000NZ
$0 $/pedaço
GWM160-0055P3
GWM160-0055P3
$0 $/pedaço
HUFA76413DK8T-F085P
HUFA76413DK8T-F085P
$0 $/pedaço
MCH6606-TL-EX
MCH6606-TL-EX
$0 $/pedaço
GWM120-0075P3-SL
GWM120-0075P3-SL
$0 $/pedaço

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