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TN5335N8-G

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MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA

não conforme

TN5335N8-G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $0.65920 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 350 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 230mA (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 3V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 110 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-243AA (SOT-89)
pacote / caixa TO-243AA
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Número da peça relacionada

BUK761R6-40E,118
BUK761R6-40E,118
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DMP2120U-7
DMP2120U-7
$0 $/pedaço
NTD4302-1G
NTD4302-1G
$0 $/pedaço
STP40N60M2
STP40N60M2
$0 $/pedaço
SQJ474EP-T2_GE3
PHD108NQ03LT,118
PHD108NQ03LT,118
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NTD4865N-1G
NTD4865N-1G
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