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SQJ474EP-T2_GE3

SQJ474EP-T2_GE3

SQJ474EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8

não conforme

SQJ474EP-T2_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.42471 $0.42471
500 $0.4204629 $210.23145
1000 $0.4162158 $416.2158
1500 $0.4119687 $617.95305
2000 $0.4077216 $815.4432
2500 $0.4034745 $1008.68625
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 26A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

PHD108NQ03LT,118
PHD108NQ03LT,118
$0 $/pedaço
NTD4865N-1G
NTD4865N-1G
$0 $/pedaço
BSH103,215
BSH103,215
$0 $/pedaço
RM30N250DF
RM30N250DF
$0 $/pedaço
IRF6727MTRPBF
STP20NM50FD
STP20NM50FD
$0 $/pedaço
DMN3028L-7
DMN3028L-7
$0 $/pedaço

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