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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 1200 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 79A |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 20V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 2.8V @ 1mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 232 nC @ 20 V |
| vgs (máx.) | +25V, -10V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 3020 pF @ 1000 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 310W |
| temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montagem | Chassis Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | - |
| pacote / caixa | Module |
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