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DMT64M8LCG-7

DMT64M8LCG-7

DMT64M8LCG-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

compliant

DMT64M8LCG-7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.43705 $0.43705
500 $0.4326795 $216.33975
1000 $0.428309 $428.309
1500 $0.4239385 $635.90775
2000 $0.419568 $839.136
2500 $0.4151975 $1037.99375
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 47.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2664 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 990mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor V-DFN3333-8 (Type B)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

RF1S530SM9A
DMN3060LW-7
DMN3060LW-7
$0 $/pedaço
MTY30N50E
MTY30N50E
$0 $/pedaço
IRF631
IRF631
$0 $/pedaço
IXTP120N20X4
IXTP120N20X4
$0 $/pedaço
APTM20DAM04G
IXTY1N100P-TRL
IXTY1N100P-TRL
$0 $/pedaço
DMJ65H650SCTI
RFM12P08
RFM12P08
$0 $/pedaço

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