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APT66M60B2

APT66M60B2

APT66M60B2

MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX

não conforme

APT66M60B2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $17.43600 $523.08
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 70A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 2.5mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 330 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 13190 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1135W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor T-MAX™ [B2]
pacote / caixa TO-247-3 Variant
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Número da peça relacionada

IRFD310PBF
IRFD310PBF
$0 $/pedaço
FDMA430NZ
FDMA430NZ
$0 $/pedaço
XP231N0201TR-G
NTB4302G
NTB4302G
$0 $/pedaço
BUK6213-30C,118
IXFA12N50P-TRL
IXFA12N50P-TRL
$0 $/pedaço
SIR800ADP-T1-GE3
FQP4N20
FQP4N20
$0 $/pedaço
DMP3056LSS-13

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