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MCU80N03-TP

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MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

não conforme

MCU80N03-TP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
22410 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 70W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IPS60R2K1CEAKMA1
STB36N60M6
STB36N60M6
$0 $/pedaço
IXFA26N30X3
IXFA26N30X3
$0 $/pedaço
C3M0021120K
C3M0021120K
$0 $/pedaço
PSMN013-100PS,127
IXFA130N15X3TRL
IXFA130N15X3TRL
$0 $/pedaço
IXTA160N10T7
IXTA160N10T7
$0 $/pedaço
BUK9608-55B,118
SIHB120N60E-T1-GE3

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