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IXTA160N10T7

IXTA160N10T7

IXTA160N10T7

IXYS

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

compliant

IXTA160N10T7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $2.94760 $147.38
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 160A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 430W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263-7 (IXTA)
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

BUK9608-55B,118
SIHB120N60E-T1-GE3
FCU5N60TU
DMTH6016LFDFW-13
RF1S23N06LESM
DMN3070SSN-7
IRFB4510PBF
SIS128LDN-T1-GE3

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