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IXTQ30N60L2

IXTQ30N60L2

IXTQ30N60L2

IXYS

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

compliant

IXTQ30N60L2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $10.91500 $327.45
283 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 240mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 335 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10700 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 540W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-3P
pacote / caixa TO-3P-3, SC-65-3
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Número da peça relacionada

LND150N3-G-P014
NVMFS4C05NT1G
NVMFS4C05NT1G
$0 $/pedaço
STY60NM60
STY60NM60
$0 $/pedaço
STL47N60M6
STL47N60M6
$0 $/pedaço
FDA16N50
R6018JNJGTL
R6018JNJGTL
$0 $/pedaço
SIHP14N60E-BE3
SIHP14N60E-BE3
$0 $/pedaço

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