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R6018JNJGTL

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R6018JNJGTL

MOSFET N-CH 600V 18A LPTS

não conforme

R6018JNJGTL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.46000 $4.46
500 $4.4154 $2207.7
1000 $4.3708 $4370.8
1500 $4.3262 $6489.3
2000 $4.2816 $8563.2
2500 $4.237 $10592.5
826 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 15V
rds em (máx.) @ id, vgs 286mOhm @ 9A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id 7V @ 4.2mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 15 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1300 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 220W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LPTS
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIHP14N60E-BE3
SIHP14N60E-BE3
$0 $/pedaço
FDS6670A
FDS6670A
$0 $/pedaço
FQPF6N80T
IRLD110PBF
IRLD110PBF
$0 $/pedaço
BUK7226-75A118
BUK7226-75A118
$0 $/pedaço
FDP7042L
IXTA200N055T2
IXTA200N055T2
$0 $/pedaço

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