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IXTQ26P20P

IXTQ26P20P

IXTQ26P20P

IXYS

MOSFET P-CH 200V 26A TO3P

compliant

IXTQ26P20P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $4.56767 $137.0301
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 26A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 170mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2740 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-3P
pacote / caixa TO-3P-3, SC-65-3
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Número da peça relacionada

NVBG080N120SC1
NVBG080N120SC1
$0 $/pedaço
IXFN44N100Q3
IXFN44N100Q3
$0 $/pedaço
SIS106DN-T1-GE3
DMT10H072LFDF-13
IRF614SPBF
IRF614SPBF
$0 $/pedaço
SI3430DV-T1-GE3
RM42N200DF
RM42N200DF
$0 $/pedaço

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