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IXFN44N100Q3

IXFN44N100Q3

IXFN44N100Q3

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B

não conforme

IXFN44N100Q3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $40.36100 $403.61
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 38A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 220mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 6.5V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 264 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 13600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 960W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

SIS106DN-T1-GE3
DMT10H072LFDF-13
IRF614SPBF
IRF614SPBF
$0 $/pedaço
SI3430DV-T1-GE3
RM42N200DF
RM42N200DF
$0 $/pedaço
SQS460ENW-T1_GE3
MTW16N40E
MTW16N40E
$0 $/pedaço

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