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IXTP4N70X2M

IXTP4N70X2M

IXTP4N70X2M

IXYS

MOSFET N-CH 700V 4A TO220

SOT-23

não conforme

IXTP4N70X2M Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $2.00000 $100
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 700 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11.8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 386 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Isolated Tab
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Número da peça relacionada

NTD65N03R-35G
NTD65N03R-35G
$0 $/pedaço
DMN2075U-7
DMN2075U-7
$0 $/pedaço
PSMN3R4-30BLE,118
IRF6636TRPBF
PN3685
PN3685
$0 $/pedaço
IRF7451TRPBF
SQM110P06-8M9L_GE3
IRLR8256TRPBF

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