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IXTP12N70X2

IXTP12N70X2

IXTP12N70X2

IXYS

MOSFET N-CH 700V 12A TO220AB

não conforme

IXTP12N70X2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.30500 $4.305
500 $4.26195 $2130.975
1000 $4.2189 $4218.9
1500 $4.17585 $6263.775
2000 $4.1328 $8265.6
2500 $4.08975 $10224.375
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 700 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 300mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 960 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 180W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NVTFS007N08HLTAG
NVTFS007N08HLTAG
$0 $/pedaço
NTDV5805NT4G
NTDV5805NT4G
$0 $/pedaço
SI4838BDY-T1-GE3
IGO60R070D1AUMA1
STU7NF25
STU7NF25
$0 $/pedaço
FDD4141
FDD4141
$0 $/pedaço
IXTY02N120P
IXTY02N120P
$0 $/pedaço
SQJ160EP-T1_GE3
SIHU7N60E-GE3
SIHU7N60E-GE3
$0 $/pedaço

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