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IXTH96N20P

IXTH96N20P

IXTH96N20P

IXYS

MOSFET N-CH 200V 96A TO247

não conforme

IXTH96N20P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $5.47367 $164.2101
55 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 96A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 24mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 600W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IXTA260N055T2
IXTA260N055T2
$0 $/pedaço
IXTN60N50L2
IXTN60N50L2
$0 $/pedaço
SI2306BDS-T1-E3
APT12060LVFRG
IXFN20N120P
IXFN20N120P
$0 $/pedaço
FDZ372NZ
NVHL082N65S3F
NVHL082N65S3F
$0 $/pedaço

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