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SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

SOT-23

não conforme

SI2306BDS-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
3000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.16A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4.5 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 305 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 750mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

APT12060LVFRG
IXFN20N120P
IXFN20N120P
$0 $/pedaço
FDZ372NZ
NVHL082N65S3F
NVHL082N65S3F
$0 $/pedaço
STD3N40K3
STD3N40K3
$0 $/pedaço
APT10026L2LLG
BUK9511-55A,127
BUK9511-55A,127
$0 $/pedaço

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