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IXTH52N65X

IXTH52N65X

IXTH52N65X

IXYS

MOSFET N-CH 650V 52A TO247

compliant

IXTH52N65X Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
60 $7.09300 $425.58
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 52A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 68mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 113 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4350 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 660W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IRFR120PBF-BE3
IRFR120PBF-BE3
$0 $/pedaço
STP75N3LLH6
STP75N3LLH6
$0 $/pedaço
ZVN4106FTA
ZVN4106FTA
$0 $/pedaço
AUIRFR8403TRL
APT8014L2LLG
R6020JNXC7G
R6020JNXC7G
$0 $/pedaço
IXTA1N100P
IXTA1N100P
$0 $/pedaço
IXKR40N60C
IXKR40N60C
$0 $/pedaço
PMV27UPEAR
PMV27UPEAR
$0 $/pedaço

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