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IXTA1N100P

IXTA1N100P

IXTA1N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 1A TO263

compliant

IXTA1N100P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.95000 $1.95
50 $1.57500 $78.75
100 $1.41750 $141.75
500 $1.10250 $551.25
1,000 $0.91350 -
2,500 $0.88200 -
65 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 50µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 331 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AA
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXKR40N60C
IXKR40N60C
$0 $/pedaço
PMV27UPEAR
PMV27UPEAR
$0 $/pedaço
FQA16N50-F109
FQA16N50-F109
$0 $/pedaço
FQL40N50
FQL40N50
$0 $/pedaço
STFU28N65M2
STFU28N65M2
$0 $/pedaço
APT51F50J
APT51F50J
$0 $/pedaço

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