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IXTH30N50L2

IXTH30N50L2

IXTH30N50L2

IXYS

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

não conforme

IXTH30N50L2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $11.33000 $11.33
30 $9.52767 $285.8301
120 $8.75500 $1050.6
510 $7.46751 $3808.4301
1,020 $7.21000 -
99 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 400W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

FQB14N30TM
RS1E170GNTB
RS1E170GNTB
$0 $/pedaço
SISA40DN-T1-GE3
IXTK20N150
IXTK20N150
$0 $/pedaço
SI7810DN-T1-GE3
NVTFS5C680NLTAG
NVTFS5C680NLTAG
$0 $/pedaço
SIRA96DP-T1-GE3

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