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SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8

compliant

SI7810DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.58860 -
6,000 $0.56096 -
15,000 $0.54122 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 62mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

NVTFS5C680NLTAG
NVTFS5C680NLTAG
$0 $/pedaço
SIRA96DP-T1-GE3
NTMFS4982NFT3G
NTMFS4982NFT3G
$0 $/pedaço
MSC080SMA120S
IPN80R2K4P7ATMA1
FDMS7660AS
FDMS7660AS
$0 $/pedaço
SQJ154EP-T1_GE3
IRF7490TRPBF

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