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IXTA80N12T2

IXTA80N12T2

IXTA80N12T2

IXYS

MOSFET N-CH 120V 80A TO263

compliant

IXTA80N12T2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $2.25000 $112.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 120 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 17mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4740 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 325W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AA
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FDD6676AS
FDD8896
FDD8896
$0 $/pedaço
SI1499DH-T1-GE3
DMPH4013SK3-13
IRF634PBF
IRF634PBF
$0 $/pedaço
ZVN0545GTA
ZVN0545GTA
$0 $/pedaço
IXTP3N100P
IXTP3N100P
$0 $/pedaço
FDMS7670
FDMS7670
$0 $/pedaço

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