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FDD6676AS

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MOSFET N-CH 30V 90A TO252

não conforme

FDD6676AS Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
209310 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 90A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.7mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2500 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 70W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

FDD8896
FDD8896
$0 $/pedaço
SI1499DH-T1-GE3
DMPH4013SK3-13
IRF634PBF
IRF634PBF
$0 $/pedaço
ZVN0545GTA
ZVN0545GTA
$0 $/pedaço
IXTP3N100P
IXTP3N100P
$0 $/pedaço
FDMS7670
FDMS7670
$0 $/pedaço
STB43N65M5
STB43N65M5
$0 $/pedaço

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