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IXTA3N120-TRL

IXTA3N120-TRL

IXTA3N120-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

compliant

IXTA3N120-TRL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $8.27000 $8.27
500 $8.1873 $4093.65
1000 $8.1046 $8104.6
1500 $8.0219 $12032.85
2000 $7.9392 $15878.4
2500 $7.8565 $19641.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1350 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 200W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AA
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMN66D0LW-7
DMN66D0LW-7
$0 $/pedaço
STW18N65M5
STW18N65M5
$0 $/pedaço
STB18N60DM2
STB18N60DM2
$0 $/pedaço
SQ2318AES-T1_GE3
IRFH8311TRPBF
FQT4N25TF
FQT4N25TF
$0 $/pedaço
FQA7N80C

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