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FQT4N25TF

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onsemi

MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4

não conforme

FQT4N25TF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
4,000 $0.25524 -
8,000 $0.23877 -
12,000 $0.22230 -
28,000 $0.21078 -
2395 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 830mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.75Ohm @ 415mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-223-4
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

FQA7N80C
C3M0032120J1
C3M0032120J1
$0 $/pedaço
NX7002BK215
NX7002BK215
$0 $/pedaço
NVF2955T1G
NVF2955T1G
$0 $/pedaço
CPH3355-TL-H
CPH3355-TL-H
$0 $/pedaço
IXTN210P10T
IXTN210P10T
$0 $/pedaço
STP17NF25
STP17NF25
$0 $/pedaço
APT5014BLLG
SI3407-TP
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$0 $/pedaço

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