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IXTA3N100D2HV-TRL

IXTA3N100D2HV-TRL

IXTA3N100D2HV-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV

compliant

IXTA3N100D2HV-TRL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.37956 $3.37956
500 $3.3457644 $1672.8822
1000 $3.3119688 $3311.9688
1500 $3.2781732 $4917.2598
2000 $3.2443776 $6488.7552
2500 $3.210582 $8026.455
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 0V
rds em (máx.) @ id, vgs 6Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37.5 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1020 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263HV
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

G3R12MT12K
SFW9Z34TM
RHK005N03FRAT146
NVTFS5C471NLWFTAG
NVTFS5C471NLWFTAG
$0 $/pedaço
RM5N60S4
RM5N60S4
$0 $/pedaço
IRF710B
IRF710B
$0 $/pedaço

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