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BSC100N03MSGATMA1

BSC100N03MSGATMA1

BSC100N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON

compliant

BSC100N03MSGATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.27219 -
10,000 $0.26325 -
25,000 $0.25838 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Ta), 44A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1700 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-5
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

G3R12MT12K
SFW9Z34TM
RHK005N03FRAT146
NVTFS5C471NLWFTAG
NVTFS5C471NLWFTAG
$0 $/pedaço
RM5N60S4
RM5N60S4
$0 $/pedaço
IRF710B
IRF710B
$0 $/pedaço
IRFR214PBF-BE3
IRFR214PBF-BE3
$0 $/pedaço

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