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IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV

SOT-23

não conforme

IXTA3N100D2HV Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $2.99260 $149.63
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 0V
rds em (máx.) @ id, vgs 6Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37.5 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1020 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263HV
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

PMN30XPAX
PMN30XPAX
$0 $/pedaço
SIHH180N60E-T1-GE3
DMP2225LQ-7
DMP2225LQ-7
$0 $/pedaço
STH3N150-2
STH3N150-2
$0 $/pedaço
STW10N105K5
STW10N105K5
$0 $/pedaço
RCD041N25TL
RCD041N25TL
$0 $/pedaço
DN3545N8-G
DN3545N8-G
$0 $/pedaço
NVMFS5H600NLT1G
NVMFS5H600NLT1G
$0 $/pedaço
SI2369BDS-T1-GE3

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