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IXTA130N10T-TRL

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IXTA130N10T-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 100V 130A TO263

não conforme

IXTA130N10T-TRL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.51680 $1213.44
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 130A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 104 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5080 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 360W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AA
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

MMBT7002K-AQ
DMN6068LK3-13
STL9N60M2
STL9N60M2
$0 $/pedaço
BSS139H6327XTSA1
HUF76139S3STK
STW9NK95Z
STW9NK95Z
$0 $/pedaço
CSD18541F5
CSD18541F5
$0 $/pedaço
EPC2007C
EPC2007C
$0 $/pedaço
IRFB3006PBF
IRFP3415PBF

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