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EPC2007C

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EPC

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

compliant

EPC2007C Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.92400 -
47362 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 6A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1.2mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 2.2 nC @ 5 V
vgs (máx.) +6V, -4V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 220 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor Die Outline (5-Solder Bar)
pacote / caixa Die
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Número da peça relacionada

IRFB3006PBF
IRFP3415PBF
IRFU1N60APBF
IRFU1N60APBF
$0 $/pedaço
FQB65N06TM
IPS60R3K4CEAKMA1

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