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IXTA06N120P-TRL

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IXTA06N120P-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263

não conforme

IXTA06N120P-TRL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.54000 $4.54
500 $4.4946 $2247.3
1000 $4.4492 $4449.2
1500 $4.4038 $6605.7
2000 $4.3584 $8716.8
2500 $4.313 $10782.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 600mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 34Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 50µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 236 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 42W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D2Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFBC40LPBF
IRFBC40LPBF
$0 $/pedaço
IPW60R041C6FKSA1
SQM120P10_10M1LGE3
IRF9335TRPBF
FDC658AP
FDC658AP
$0 $/pedaço
SI3404-TP
SI3404-TP
$0 $/pedaço
IRF3805PBF
SQJA04EP-T1_GE3
FDD8878
FDD8878
$0 $/pedaço
FDS4480
FDS4480
$0 $/pedaço

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