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SQJA04EP-T1_GE3

SQJA04EP-T1_GE3

SQJA04EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8

não conforme

SQJA04EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.51168 -
6,000 $0.48766 -
15,000 $0.47050 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 75A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3500 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

FDD8878
FDD8878
$0 $/pedaço
FDS4480
FDS4480
$0 $/pedaço
NTMFS4C59NT1G
NTMFS4C59NT1G
$0 $/pedaço
RM40N40D3
RM40N40D3
$0 $/pedaço
STF12N50M2
STF12N50M2
$0 $/pedaço
RND030N20TL
RND030N20TL
$0 $/pedaço
STP12N65M5
STP12N65M5
$0 $/pedaço
STN1NK60Z
STN1NK60Z
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IRFIBC20GPBF
IRFIBC20GPBF
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