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IXFP10N60P

IXFP10N60P

IXFP10N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

compliant

IXFP10N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $2.25000 $112.5
590 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 740mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1610 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 200W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SFU9214TU
DMP21D6UFD-7
AUIRFZ24NSTRL
IRFP27N60KPBF
IRFP27N60KPBF
$0 $/pedaço
HUFA76432S3ST
FDD850N10L
FDD850N10L
$0 $/pedaço
STB9NK50ZT4
STB9NK50ZT4
$0 $/pedaço
SI7892BDP-T1-E3

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