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TK12E60W,S1VX

TK12E60W,S1VX

TK12E60W,S1VX

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

não conforme

TK12E60W,S1VX Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $2.47500 $123.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 300mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.7V @ 600µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 890 pF @ 300 V
característica fet Super Junction
dissipação de potência (máx.) 110W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

HUFA76432S3ST
FDD850N10L
FDD850N10L
$0 $/pedaço
STB9NK50ZT4
STB9NK50ZT4
$0 $/pedaço
SI7892BDP-T1-E3
BUK9516-75B,127
BUK9516-75B,127
$0 $/pedaço
APT34M60S
APT34M60S
$0 $/pedaço
IPZ65R095C7XKSA1
IPD95R1K2P7ATMA1
AUIRFL024NTR

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