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IXFN82N60P

IXFN82N60P

IXFN82N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B

compliant

IXFN82N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $29.04000 $29.04
10 $26.86200 $268.62
30 $24.68400 $740.52
100 $22.94160 $2294.16
250 $21.05400 $5263.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 72A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 75mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 23000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1040W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

SIHD3N50D-E3
SIHD3N50D-E3
$0 $/pedaço
FDS2582
FDS2582
$0 $/pedaço
IXTP24N65X2M
IXTP24N65X2M
$0 $/pedaço
IRF710SPBF
IRF710SPBF
$0 $/pedaço
IXTA76N25T-TRL
IXTA76N25T-TRL
$0 $/pedaço
IRFR9120PBF
IRFR9120PBF
$0 $/pedaço
SIHA25N50E-GE3
SIHA25N50E-GE3
$0 $/pedaço

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