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IXTP24N65X2M

IXTP24N65X2M

IXTP24N65X2M

IXYS

MOSFET N-CH 650V 24A TO220

não conforme

IXTP24N65X2M Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.30000 $3.3
50 $2.65500 $132.75
100 $2.41900 $241.9
500 $1.95880 $979.4
1,000 $1.65200 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2060 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 37W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Isolated Tab
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Número da peça relacionada

IRF710SPBF
IRF710SPBF
$0 $/pedaço
IXTA76N25T-TRL
IXTA76N25T-TRL
$0 $/pedaço
IRFR9120PBF
IRFR9120PBF
$0 $/pedaço
SIHA25N50E-GE3
SIHA25N50E-GE3
$0 $/pedaço
FDP5N60NZ
HUFA75637P3

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