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IXFH60N20

IXFH60N20

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 60A TO247AD

não conforme

IXFH60N20 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $10.15667 $304.7001
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 33mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

PMZB150UNE315
PMZB150UNE315
$0 $/pedaço
SI7802DN-T1-E3
SI7802DN-T1-E3
$0 $/pedaço
SI1067X-T1-GE3
SI1067X-T1-GE3
$0 $/pedaço
IRLR7821TRLPBF
FQD19N10TF
FQD19N10TF
$0 $/pedaço
DKI10526
DKI10526
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STFI34NM60N
STFI34NM60N
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