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SI7802DN-T1-E3

SI7802DN-T1-E3

SI7802DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK

não conforme

SI7802DN-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.24A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 435mOhm @ 1.95A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.6V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

SI1067X-T1-GE3
SI1067X-T1-GE3
$0 $/pedaço
IRLR7821TRLPBF
FQD19N10TF
FQD19N10TF
$0 $/pedaço
DKI10526
DKI10526
$0 $/pedaço
STFI34NM60N
STFI34NM60N
$0 $/pedaço
SUM90N06-5M5P-E3

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