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IXFE23N100

IXFE23N100

IXFE23N100

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B

compliant

IXFE23N100 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $33.60000 $33.6
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 430mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 250 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

RDR005N25TL
RDR005N25TL
$0 $/pedaço
IRLR3715ZTRLPBF
IPI600N25N3G
IRFL4310TR
BSC072N025S G
FQA13N80
SPD30N08S2L-21
IRFU3706
IRFU3706
$0 $/pedaço

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