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IPB80N06S2H5ATMA1

IPB80N06S2H5ATMA1

IPB80N06S2H5ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S2H5ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 230µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FQA13N80
SPD30N08S2L-21
IRFU3706
IRFU3706
$0 $/pedaço
NVMFS6B85NLT3G
NVMFS6B85NLT3G
$0 $/pedaço
PHD18NQ10T,118
PHD18NQ10T,118
$0 $/pedaço
SPB08P06PGATMA1
IRF540A
IRF540A
$0 $/pedaço
SUM120N04-1M7L-GE3
SI1011X-T1-GE3
SI1011X-T1-GE3
$0 $/pedaço

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