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SPW11N60C3

SPW11N60C3

SPW11N60C3

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

SPW11N60C3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.66000 $1.66
500 $1.6434 $821.7
1000 $1.6268 $1626.8
1500 $1.6102 $2415.3
2000 $1.5936 $3187.2
2500 $1.577 $3942.5
7369 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.9V @ 500µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO247-3
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

RK7002BT116
RK7002BT116
$0 $/pedaço
APT30M19JVR
IXTR200N10P
IXTR200N10P
$0 $/pedaço
IPP040N06NAKSA1
SQJ403BEEP-T1_GE3
NTB18N06G
NTB18N06G
$0 $/pedaço
STW8N120K5
STW8N120K5
$0 $/pedaço
STL38N65M5
STL38N65M5
$0 $/pedaço

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