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IXTR200N10P

IXTR200N10P

IXTR200N10P

IXYS

MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

compliant

IXTR200N10P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $10.45267 $313.5801
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 500µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 235 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor ISOPLUS247™
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IPP040N06NAKSA1
SQJ403BEEP-T1_GE3
NTB18N06G
NTB18N06G
$0 $/pedaço
STW8N120K5
STW8N120K5
$0 $/pedaço
STL38N65M5
STL38N65M5
$0 $/pedaço
PMV28ENEAR
PMV28ENEAR
$0 $/pedaço
ZXMN2A14FTA
ZXMN2A14FTA
$0 $/pedaço
NVTFWS014P04M8LTAG
NVTFWS014P04M8LTAG
$0 $/pedaço

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