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IRF60SC241ARMA1

IRF60SC241ARMA1

IRF60SC241ARMA1

MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7

não conforme

IRF60SC241ARMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.59000 $4.59
500 $4.5441 $2272.05
1000 $4.4982 $4498.2
1500 $4.4523 $6678.45
2000 $4.4064 $8812.8
2500 $4.3605 $10901.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 360A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.7V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 388 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 16000 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.4W (Ta), 417W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

AUIRFS3107TRL
IXTK32P60P
IXTK32P60P
$0 $/pedaço
IRLM120ATF
IRLM120ATF
$0 $/pedaço
NTB23N03RT4G
NTB23N03RT4G
$0 $/pedaço
BSS84AKM,315
BSS84AKM,315
$0 $/pedaço
C3M0065100K
C3M0065100K
$0 $/pedaço
IPW60R070C6FKSA1
SIHD9N60E-GE3
SIHD9N60E-GE3
$0 $/pedaço
SIJA58DP-T1-GE3

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