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SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

compliant

SIHD9N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.04000 $2.04
500 $2.0196 $1009.8
1000 $1.9992 $1999.2
1500 $1.9788 $2968.2
2000 $1.9584 $3916.8
2500 $1.938 $4845
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 368mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 778 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 78W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SIJA58DP-T1-GE3
STL18N60M2
STL18N60M2
$0 $/pedaço
IXFK320N17T2
IXFK320N17T2
$0 $/pedaço
CSD19506KTT
CSD19506KTT
$0 $/pedaço
SIHH14N60EF-T1-GE3
IRFS3006TRLPBF

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