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IRF135S203

IRF135S203

IRF135S203

MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3

não conforme

IRF135S203 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $2.38228 $1905.824
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 135 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 129A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.4mOhm @ 77A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9700 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 441W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

RE1C001UNTCL
RE1C001UNTCL
$0 $/pedaço
FDFMA3P029Z
SI4425BDY-T1-E3
IRFR224PBF
IRFR224PBF
$0 $/pedaço
APT50M65B2FLLG
STB20N90K5
STB20N90K5
$0 $/pedaço
TN5335N8-G
TN5335N8-G
$0 $/pedaço

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