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IPS10N03LA G

IPS10N03LA G

IPS10N03LA G

MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

compliant

IPS10N03LA G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 20µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1358 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO251-3-11
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

STU90N4F3
STU90N4F3
$0 $/pedaço
FQPF8N60CT
FQPF8N60CT
$0 $/pedaço
STP4NB100
STP4NB100
$0 $/pedaço
IRLU8113PBF
IPP45N06S3-16
NDP6020P
IRL3715ZCSTRLP
IXTH12N100
IXTH12N100
$0 $/pedaço
IPU60R950C6BKMA1

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